Especificações Técnicas: Arquitetura DDR3 com frequências otimizadas para entregar performance superior em diversas aplicações.

Performance e Benchmarks: Otimizada para multitarefas e aplicações exigentes, oferecendo desempenho notável para diversas necessidades.

Características:

Marca: Clanm

Modelo: MEMÓRIA RAM DDR3 8GB

Especificações:

Fonte de alimentação padrão JEDEC de 1,5 V

VDDQ = 1,5 V

FCK de 800 MHz para 1600 Mb/seg/pino

8 bancos internos independentes

Latência CAS programável: 11, 10, 9, 8, 7, 6

Latência Aditiva Programável: 0, CL - 2 ou CL - 1 clock

Pré-busca de 8 bits

Duração do Burst: 8, 4 com tCCD = 4, o que não permite leitura ou gravação contínua (seja em tempo real usando A12 ou MRS)

Strobe de Dados Diferencial Bidirecional

Calibração interna (auto): através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)

Terminação na matriz usando pino ODT

Período médio de atualização: 7,8us a temperaturas inferiores a TCASE 85°C, 3,9us a 85°C < TCASE < 95°C

Reinicialização assíncrona

PCB: Altura 18,75mm ou 30,00mm